»ç¾ç:
Àü¿ø: ÃæÀü½Ä ¸®Æ¬ ¹èÅ͸®
µð½ºÇ÷¹ÀÌ: 3.5*3cm TFT ½ºÅ©¸°
´ÙÀÌ¿Àµå ¹üÀ§: < 4.5V
Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµå: Æ®·£Áö½ºÅÍ °ËÃâ ¹üÀ§: 0.01-4.5V Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµå °ËÃâ ¹üÀ§: 0.01-30V
Æ®¶óÀÌ¾Ç ¹üÀ§: IGT < 6mA
Ä¿ÆнÃÅϽº: 25pF-100mF
ÀúÇ×: 0.01-50M¥Ø
ÀδöÅϽº: 0.01mH-20H
¹èÅ͸®: 0.1-4.5V
±â´É:
NPN ¹× PNP Æ®·£Áö½ºÅÍ, Ä¿ÆнÃÅÍ, ÀúÇ×, ´ÙÀÌ¿Àµå, Æ®·£Áö½ºÅÍ, N ä³Î ¹× P ä³Î MOSFETs, IGBT, JFET, »çÀ̸®½ºÅÍ, ¹èÅ͸® µîÀ» °¨ÁöÇÏ´Â µ¥ ³Î¸® »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµåµµ °¨Áö ÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç ÀÚü ±³Á¤ ±â´ÉÀÌ ÀÖ½À´Ï´Ù.
¿ø ¹öÆ° ÀÛµ¿, ÀÚµ¿ °¨Áö ¹× Á¾·á, ´Ù±â´É ¹öÆ°À» ´·¯ °¨Áö±â¸¦ ²ø ¼öµµ ÀÖ½À´Ï´Ù.
°¢ ±¸¼º ¿ä¼ÒÀÇ ÇÉÀ» ÇØ´ç ¿µ¿ª¿¡ ³õ°í ÀÛÀº ÇÚµéÀ» µ¹¸®¸é °¨Áö±â°¡ ÀÚµ¿À¸·Î °¨ÁöµÇ¸ç ÃÖÁ¾ °á°ú°¡ ¹é¶óÀÌÆ® TFT ȸ鿡 ¸íÈ®ÇÏ°Ô Ç¥½ÃµË´Ï´Ù.
µðÅØÅÍ´Â ÀϹÝÀûÀÎ Èæ¹é µð½ºÇ÷¹ÀÌ ´ë½Å °á°ú¸¦ Ä÷¯·Î Ç¥½ÃÇÕ´Ï´Ù.
¼³¸í:
ÀÌ°ÍÀº ºñ¿ë È¿À²ÀûÀÌ°í ³Î¸® »ç¿ëµÇ´Â Æ®·£Áö½ºÅÍ Å½Áö±âÀÔ´Ï´Ù. NPN ¹× PNP Æ®·£Áö½ºÅÍ, Ä¿ÆнÃÅÍ, ÀúÇ×, ´ÙÀÌ¿Àµå, Æ®·£Áö½ºÅÍ, N ä³Î ¹× P ä³Î MOSFETs, »çÀ̸®½ºÅÍ, ¹èÅ͸® µîÀ» °¨ÁöÇÏ´Â µ¥ »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. Àû¿Ü¼± ÆÄÇüÀ» °¨ÁöÇÏ´Â µ¥¿¡µµ »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
¾Ë¸²:
µðÅØÅ͸¦ º¸È£Çϱâ À§ÇØ Å×½ºÆ® Àü¿¡ ÀüÀÚ Àåºñ¸¦ ¹æÀüÇϽʽÿÀ.
Àü¾ÐÀ̳ª ³»Àå ¹èÅ͸®°¡ 3V ÀÌÇÏÀÎ °æ¿ì´Â, »ç¿ë Àü¿¡ ÃæÀüÇØ ÁÖ¼¼¿ä.
ÃæÀüÇÏ·Á¸é 5V ¹èÅ͸® ¶Ç´Â USB Æ÷Æ®¸¦ »ç¿ëÇϽʽÿÀ.
ÆÐÅ°Áö Æ÷ÇÔ:
1 * ´Ù±â´É TFT Æ®·£Áö½ºÅÍ Å×½ºÅÍ
1 * ÀüÀÚ ºÎÇ° ¼¼Æ®
1 * ÄÉÀ̺í
3 * Å×½ºÆ® ÈÄÅ©
¹è¼Û Á¤º¸:
¿µ¾÷ÀÏ ±âÁØ 1-2 ÀÏ À̳»¿¡ ÆÐÅ°Áö¸¦ ¹è¼ÛÇÕ´Ï´Ù.
¹è¼Û ¹æ¹ýÀ» º¯°æÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. ¼¼°ü, ¿ø°Ý ÁÖ¼Ò ¹× ¹è¼Û ¼Óµµ¸¦ °í·ÁÇϽʽÿÀ.
º¸Áõ ¹× ¹ÝÇ°:
ÀúÈñ ¸ÅÀå ¹è¼ÛÀÏ 30 ÀÏ À̳» ÁÖ¹® ¹«·á ±³Ã¼ Á¦°øÇÕ´Ï´Ù. 1 °³¿ù¿¡¼ 12 °³¿ù »çÀÌÀÇ ÁÖ¹®ÀÇ °æ¿ì ±³Ã¼ÇÏ·Á¸é ÁÖ¹® ±Ý¾×ÀÇ ÀϺθ¦ ÁöºÒÇؾßÇÕ´Ï´Ù. 12 °³¿ù ÀÌ»ó µÈ ÁÖ¹®ÀÇ °æ¿ì ÀÛÀº ÇÒÀÎÀ» Á¦°øÇÕ´Ï´Ù.
¿ì¸®ÀÇ ¼ºñ½º ½Ã°£:
¿ì¸®ÀÇ ±Ù¹« ½Ã°£Àº ¿ù¿äÀÏ ~ ±Ý¿äÀÏ ¿ÀÀü 9:00 6:30 ¿ÀÈÄ º£ÀÌ¡ ½Ã°£ÀÔ´Ï´Ù.
ÁÖ¸»°ú °øÈÞÀÏ¿¡´Â ¸ðµç ÁÖ¹®ÀÌ Ã³¸®µÇÁö ¾Ê½À´Ï´Ù.
Çǵå¹é:
¹®Á¦°¡ ÀÖÀ¸¸é ¸ÕÀú ¹®ÀÇÇϽʽÿÀ. ±Ù¹« ½Ã°£ Áß 30 ºÐ À̳»¿¡ ȸ½Å µå¸®°Ú½À´Ï´Ù. 24 ½Ã°£ À̳»¿¡ ¹®Á¦¸¦ ÇØ°áÇÒ °ÍÀ» ¾à¼ÓÇÕ´Ï´Ù.