»ç¿ëÁÖÀÇ »çÇ×:
Ä¿ÆнÃÅÍ´Â ¹æÀü¾øÀÌ Å×½ºÆ®ÇÏÁö ¾Ê¾Æ¾ßÇÕ´Ï´Ù
º¯¾Ð±âÀÇ ÀδöÅϽº¸¦ Å×½ºÆ® ÇÒ ¼ö ¾ø½À´Ï´Ù
¿Â¶óÀÎÀ¸·Î Àü±â Å×½ºÆ®ÇÏÁö ¸¶¼¼¿ä
Å×½ºÆ®¸¦ À§ÇØ È¸·Î ±âÆÇ¿¡ 3 °³ÀÇ °í¸®¸¦ °ÉÁö ¸¶½Ê½Ã¿À
¶óÀ̺ê ȸ·Î ±âÆÇÀ» Å×½ºÆ®ÇÏÁö ¸¶½Ê½Ã¿À
±×·¸Áö ¾ÊÀ¸¸é Å×½ºÅÍ°¡ Ÿ ¹ö¸³´Ï´Ù. Å×½ºÅ͸¦ Å¿ì´Â °ÍÀÌ ±¸¸ÅÀÚÀÇ ÀÌÀ¯ÀÔ´Ï´Ù.
Àü¾ÐÀ̳ª ³»Àå ¹èÅ͸®°¡ 3V ÀÌÇÏÀÎ °æ¿ì, »ç¿ë Àü¿¡ ÃæÀüÇØ ÁÖ¼¼¿ä.
5V ¹èÅ͸® ¶Ç´Â USB Æ÷Æ®¸¦ »ç¿ëÇÏ¿© ÃæÀüÇϽʽÿÀ.
Á¦Ç° ¼³¸í
ÀÌ°ÍÀº ºñ¿ë È¿À²ÀûÀÌ°í ³Î¸® »ç¿ëµÇ´Â Æ®·£Áö½ºÅÍ Å½Áö±âÀÔ´Ï´Ù. NPN ¹× PNP Æ®·£Áö½ºÅÍ, Ä¿ÆнÃÅÍ, ÀúÇ×, ´ÙÀÌ¿Àµå, 3 ±Ø°ü, N ä³Î ¹× P ä³Î MOSFETs, »çÀ̸®½ºÅÍ, ¹èÅ͸® µîÀ» °¨ÁöÇÏ´Â µ¥ »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. Àû¿Ü¼± ÆÄÇüÀ» °¨ÁöÇÏ´Â µ¥¿¡µµ »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
Ư¡:
NPN ¹× PNP Æ®·£Áö½ºÅÍ, Ä¿ÆнÃÅÍ, ÀúÇ×, ´ÙÀÌ¿Àµå, Æ®·£Áö½ºÅÍ, N ä³Î ¹× P ä³Î MOSFETs, IGBT, JFET, »çÀ̸®½ºÅÍ, ¹èÅ͸® µîÀ» °¨ÁöÇÏ´Â µ¥ ³Î¸® »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
. Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµåµµ °¨Áö ÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç ±â´ÉÀû ÀÚü ±³Á¤ÀÌ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
°¨Áö°¡ ¿Ï·áµÇ¸é Àû¿Ü¼± ¸®¸ðÄÁÀ» "IR" Ç¥½ÃµîÀ¸·Î ÇâÇÏ°Ô ÇÑ ´ÙÀ½ ¸®¸ðÄÁÀÇ ¹öÆ°À» ´©¸¨´Ï´Ù. µðÅØÅÍ°¡ ¼º°øÀûÀ¸·Î µðÄÚµùÇÏ¸é µ¥ÀÌÅÍ ÄÚµå¿Í Àû¿Ü¼± ÆÄÇüÀÌ Ç¥½ÃµË´Ï´Ù.
¿ø Å° ÀÛµ¿, ÀÚµ¿ °¨Áö ¹× Á¾·á, ´Ù±â´É ¹öÆ°À» ´·¯ °¨Áö±â¸¦ ²ø ¼öµµ ÀÖ½À´Ï´Ù.
ÇØ´ç ¿µ¿ª¿¡ ±¸¼º ¿ä¼ÒÀÇ ÇÉÀ» ³õ°í ÀÛÀº ÇÚµéÀ» µ¹¸®¸é °¨Áö±â°¡ ÀÚµ¿À¸·Î °¨ÁöµÇ¸ç ÃÖÁ¾ °á°ú°¡ ¹é¶óÀÌÆ® TFT ȸ鿡 ¸íÈ®ÇÏ°Ô Ç¥½ÃµË´Ï´Ù.
ÀϹÝÀûÀÎ Èæ¹é µð½ºÇ÷¹ÀÌ ´ë½ÅÀÌ °¨Áö±â´Â °á°ú¸¦ Ä÷¯·Î Ç¥½ÃÇÕ´Ï´Ù.
»ç¾ç:
Àü¿ø ¸ðµå: ÃæÀü½Ä ¸®Æ¬ ¹èÅ͸®
µð½ºÇ÷¹ÀÌ: 3.5*3cm TFT ½ºÅ©¸°
´ÙÀÌ¿Àµå ¹üÀ§: < 4.5V
Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµå: Æ®·£Áö½ºÅÍ °ËÃâ ¿µ¿ª: 0.01-4.5V Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµå °ËÃâ ¿µ¿ª: 0.01-20V
Æ®¶óÀÌ¾Ç ¹üÀ§: IGT < 6mA
Ä¿ÆнÃÅϽº: 25pF- 100mF
ÀúÇ×: 0.01-50M¥Ø
ÀδöÅϽº: 0.01mH-20H
¹èÅ͸®: 0.1-4.5V
Á¦Ç° Ĩ: °í¼º´É mcu
ÆÐÅ°Áö Æ÷ÇÔ:
1 * ´Ù±â´É TFT Æ®·£Áö½ºÅÍ Å×½ºÅÍ
1 * ÀüÀÚ ºÎÇ° ¼¼Æ®
1 * ÄÉÀ̺í
3 * Å×½ºÆ® ÈÄÅ©
Ư¼ÛÀ» ¹ÞÀº ÈÄ Á¦Ç°ÀÇ Ç°Áú ¹®Á¦°¡ ¹ß°ßµÇ¸é ¸¶À½´ë·Î ÀÌÀǸ¦ Á¦±âÇÏÁö ¸¶½Ê½Ã¿À. Àû½Ã¿¡ ÇØ°áÇÏ·Á¸é A/S °í°´ ¼ºñ½º¿¡ ¹®ÀÇÇϽʽÿÀ. ±ÍÇÏÀÇ Áö¿ø°ú ÀÌÇØ¿¡ °¨»çµå¸³´Ï´Ù!